IS43DR16640A-25DBLI-TR

規格 64Mx16
腳位/封裝 BGA(84)
電壓 1.8V
刷新 8K
速度 25 = 400MHz
字數 64M
型號別 IBIS
焊接 SnAgCu
狀態 OBS
外包裝 Tape on Reel
類型 DDR2
總線寬度 16 = x16
温規 Industrial Grade (-40C to +85°C)
CL(CAS延遲) D = 5
代/版本 A
產品系列 43 = DDR/DDR2/DDR3/DDR4 Commercial/Industrial grade
温度等级 I = Industrial Grade (-40°C to +85°C)
焊料類型 L = SnAgCu
Generation A = A
字數 640 = 64M
工作電壓範圍 DR = 1.8V DDR2
腳位/封裝 B = BGA

IS43DR16640A-25DBLI-TR 特徵

  • Clock frequency up to 400MHz 
  • 8 internal banks for concurrent operation 
  • 4‐bit prefetch architecture 
  • Programmable CAS Latency: 3, 4, 5, 6 and 7 
  • Programmable Additive Latency: 0, 1, 2, 3, 4, 5  and 6 
  • Write Latency = Read Latency‐1 
  • Programmable Burst Sequence: Sequential or  Interleave 
  • Programmable Burst Length: 4 and 8 
  • Automatic and Controlled Precharge Command 
  • Power Down Mode 
  • Auto Refresh and Self Refresh 
  • Refresh Interval: 7.8 s (8192 cycles/64 ms) 
  • OCD (Off‐Chip Driver Impedance Adjustment) 
  • ODT (On‐Die Termination) 
  • Weak Strength Data‐Output Driver Option    OPTIONS 
  • Configuration:     128Mx8 (16M x 8 x 8 banks)   64Mx16 (8M x 16 x 8 banks)  
  • Package:   60‐ball TW‐BGA for x8   84‐ball TW‐BGA for x16  SEPTEMBER 2011 
  • Bidirectional differential Data Strobe (Single‐ ended data‐strobe is an optional feature) 
  • On‐Chip DLL aligns DQ and DQs transitions with  CK transitions 
  • DQS# can be disabled for single‐ended data  strobe 
  • Read Data Strobe supported (x8 only) 
  • Differential clock inputs CK and CK# 
  • VDD and VDDQ = 1.8V ± 0.1V 
  • PASR (Partial Array Self Refresh) 
  • SSTL_18 interface 
  • tRAS lockout supported 

概觀

Input clocks Clock enable Chip Select Command control inputs Address Bank Address I/O Upper Byte Data Strobe Lower Byte Data Strobe Input data mask Supply voltage Ground DQ power supply DQ ground Reference voltage DLL power supply DLL ground On Die Termination Enable No connect.