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RI-YAO ELECTRONICS LTD.
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動態記憶體
同步動態隨機存取記憶體
3.3V Automotive
512M 16Mx32
BGA(90)
IS45S32160D-TR
IS45S32160D-TR
數據表
索取報價
容量
512M
規格
16Mx32
電壓
3.3V
類型
SDR
刷新
8K
速度
166, 143, 133
狀態
NR
評注
腳位數
BGA(90)
字數
160 = 16M
工作電壓範圍
S = 3.3V SDR
Generation
TR = TR
總線寬度
32 = x32
產品系列
45 = SDR Automotive grade
外包裝
Tape on Reel
數據表
索取報價
IS45S32160D-TR 特徵
Clock frequency: 200, 166, 143 MHz
Fully synchronous; all signals referenced to a positive clock edge
Internal bank for hiding row access/precharge
Power supply: Vdd/Vddq = 2.3V-3.6V IS42/45SxxxxxD - Vdd/Vddq = 3.3V IS42/45RxxxxxD - Vdd/Vddq = 2.5
LVTTL interface
Programmable burst length
(1, 2, 4, 8, full page)
Programmable burst sequence: Sequential/Interleave
Auto Refresh (CBR)
Self Refresh
8K refresh cycles every 64 ms
Random column address every clock cycle
Programmable CAS latency (2, 3 clocks)
Burst read/write and burst read/single write operations capability
Burst termination by burst stop and precharge command
Packages: x8/x16: 54-pin TSOP-II, 54-ball TF-BGA (x16 only) x32: 90-ball TF-BGA
相關IC编號
IC 編號
庫存數量
可用數量
IS45S32160D