1. 矽成
  2. 靜態隨機存取存儲器
  3. CellularRAM的/偽SRAM
  4. 2.5-3.6V
  5. 8M 512Kx16
  6. TSOP2(44), mBGA(48)
  7. IS66WV51216EBLL-TR

  IS66WV51216EBLL-TR

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容量 8M
規格 512Kx16
腳位/封裝 TSOP2(44), mBGA(48)
電壓 2.5-3.6V
狀態 Prod
評注 Standard Asynch
外包裝 Tape on Reel
速度（ns） 70
Item 66 = Pseudo SRAM/HyperRAM™
產品類別 WV = Standard Asynch PSRAM
電壓 - 電源 BLL = 3V
密度配置 51216 = 8Mb /512K x16
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