1. 矽成
  2. 靜態隨機存取存儲器
  3. CellularRAM的/偽SRAM
  4. 2.7 to 3.6V
  5. TFBGA(48)
  6. IS66WVE4M16BLL

  IS66WVE4M16BLL

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規格 4Mx16
腳位/封裝 TFBGA(48)
電壓 2.7 to 3.6V
狀態 Prod
評注 Asynch/Page
速度（ns） 70
Item 66 = Pseudo SRAM/HyperRAM™
產品類別 WVE = Asynch/Page PSRAM
電壓 - 電源 BLL = 3V
密度配置 4M16 = 64Mb /4M x16
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