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RI-YAO ELECTRONICS LTD.
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矽成
動態記憶體
第三代雙倍資料率同步動態隨機存取記憶體
1.5V Automotive
1G 128Mx8
BGA(78)
IS46TR81280C-TR
IS46TR81280C-TR
數據表
索取報價
Buy
容量
1G
規格
128Mx8
電壓
1.5V
類型
DDR3
刷新
8K
速度
1866, 1600
狀態
Prod
腳位數
BGA(78)
評論上一篇
IS46TR81280B
字數
1280 = 128M
工作電壓範圍
TR = 1.5V DDR3
Generation
TR = TR
總線寬度
8 = x8
產品系列
46 = DDR/DDR2/DDR3/DDR4 Automotive grade
外包裝
Tape on Reel
數據表
索取報價
IS46TR81280C-TR 特徵
Standard Voltage: VDD and VDDQ = 1.5V ± 0.075V
Low Voltage (L): VDD and VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V
-Backward compatible to 1.5V
High speed data transfer rates with system frequency up to 933 MHz
8 internal banks for concurrent operation
8n-Bit pre-fetch architecture
Programmable CAS Latency
Programmable Additive Latency: 0, CL-1,CL-2
Programmable CAS WRITE latency (CWL) based on tCK
Programmable Burst Length: 4 and 8
Programmable Burst Sequence: Sequential or Interleave
BL switch on the fly
Auto Self Refresh(ASR)
Self Refresh Temperature(SRT) OPTIONS
Configuration: 512Mx16(dual die)
Package: 96-ball BGA (9mm x 13mm) ADDRESS TABLE SPEED BIN Speed Option 125K 107M Units JEDEC Speed Grade DDR3-1600K DDR3-1866M CL-nRCD-nRP 11-11-11 13-13-13 tCK tRCD,tRP(min) ns Note:Faster speed options are backward compatible to slower speed options. 13.75 13.91 AUGUST 2020
Refresh Interval: 7.8 us (8192 cycles/64 ms) Tc= -40°C to 85°C 3.9 us (8192 cycles/32 ms) Tc= 85°C to 105°C
Partial Array Self Refresh
Asynchronous RESET pin
OCD (Off-Chip Driver Impedance Adjustment)
Dynamic ODT (On-Die Termination)
Driver strength : RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
Write Leveling
Up to 200 MHz in DLL off mode
相關IC编號
IC 編號
庫存數量
可用數量
IC 編號
庫存數量
可用數量
IS46TR81280C
IS46TR81280C-125JBLA25-TR
IS46TR81280C-125JBLA1
IS46TR81280CL-125JBLA1
IS46TR81280C-125JBLA1-TR
IS46TR81280CL-125JBLA1-TR
IS46TR81280C-125JBLA2
IS46TR81280CL-125JBLA2
IS46TR81280C-125JBLA2-TR
IS46TR81280CL-125JBLA2-TR
IS46TR81280C-125JBLA25